ULTRARAM نوع جدیدی از “حافظه جهانی” است که میتواند از طول عمر حافظه فلش SSD شما فراتر رود و با سرعت خواندن/نوشتن حافظه سیستم مطابقت داشته باشد.
سایت ULTRAM میگوید: فناوری این حافظه از تونلسازی رزونانس مکانیکی کوانتومی برای ارائه ترکیبی بینظیر از سرعت، حافظه غیر فرار، استقامت و بهرهوری انرژی استفاده میکند.
بروشور این فناوری در ادامه توضیح میدهد که: ULTRARAM یک حافظه مبتنی بر بار است که دادهها را با حرکت دادن الکترونها به داخل یا خارج از یک به اصطلاح “دروازه شناور” ذخیره میکند. حالت شارژ دروازه شناور با اندازه گیری رسانایی یک کانال زیرین به صورت غیر مخرب خوانده میشود.جزء نهایی حافظه، مانعی است که مانند یک قفل عمل میکند تا الکترونها را در دروازه شناور در طول نگهداری دادهها حفظ کند. قفل مانع باز میشود تا هنگام نوشتن یا پاک کردن حافظه، شارژ جریان یابد.
این فناوری از شرکت Quinas Technology میآید، شرکتی که از دانشگاه لنکستر (Lancaster) در بریتانیا منشعب شده است، جایی که ULTRARAM توسط پروفسور مانوس هاین (Manus Hayne) از گروه فیزیک دانشگاه اختراع شده است. اولین بار درنمایشگاه Flash Memory Summit رونمایی شد و به نظر میرسد میتواند دنیای جدیدی را در حوزه مربوط باز کند.
در حال حاضر، شما یا DRAM (یا حافظه سیستم) و حافظه فلش دارید. این دو ویژگیهای بسیار متفاوتی دارند و بنابراین تقریباً برای کارهای کاملاً متفاوت استفاده میشوند. DRAM فوق العاده سریع است، با سرعت خواندن و نوشتن چندین برابر سریعتر از سریعترین SSD و میتواند عملاً هر چند بار که بخواهید بازنویسی شود. اما این یک حافظه فرار است، بنابراین برای حفظ ذخیره سازی دادهها به برق ثابت نیاز دارد. به محض اینکه برق قطع میشود، تمام اطلاعات نیز از بین میرود، این دلیلی است بر این که در مود sleep لپ تاپ شما باتری خالی میکند.
و اینجاست که حافظه فلش وارد میشود. بسیار ارزانتر، بسیار کندتر است، اما پایدار است و پس از قطع برق، دادهها را برای مدت طولانی حفظ میکند. میزان دوام نسبتاً پایینی دارد به طوریکه تراشههای فلش در طول زمان و در تعداد چرخه خاصی فرسوده میشوند.
ULTRARAM وعده میدهد که هر دو عملکرد را با عملکردی در سطح DRAM انجام دهد، در حالی که انرژی بسیار کمتری مصرف میکند و طبق گزارشها دادهها را برای 1000 سال حفظ خواهد کرد.
فناوری Quinas از کاربرد ULTRARAM به عنوان مورد مهم برای مراکز داده یاد میکند، جایی که مقدار زیادی از انرژی مورد نیاز آنها توسط حافظه برای حفظ دادهها در حافظه فعال یا جابجایی آن بین حافظه ذخیره شده و فعال مصرف میشود. از نظر تئوری، داشتن ULTRARAM در مرکز داده میتواند به میزان قابل توجهی تقاضای انرژی این بخش را کاهش دهد.
این محصول همچنین میتواند تاثیرات بزرگی در فضای مصرف کننده نیز داشته باشد. دیگر sleep mode وجود نخواهد داشت، زیرا شما میتوانید کل اسنپ شات وضعیت یک سیستم را حتی با خاموش شدن برق در حالت ULTRARAM نگه دارید و به دلیل سرعت ذاتی آن در کوتاهمدت دوباره راهاندازی کنید.
ULTRARAM یک محصول سیلیکونی نیست. تونل رزونانس کوانتومی لازم که بر آن تکیه دارد در نیمه هادیهای ترکیبی مانند آنتی مونید گالیم (GaSb)، آرسنید ایندیم (InAs) و آنتیمونید آلومینیوم (AlSb) یافت میشود که طرح ULTRARAM فعلی را تشکیل میدهند.
این فناوری به تازگی شروع شده است و ما نمیدانیم هزینههای مربوط به تولید فلش یا DRAM چقدر است. بنابراین، شانس آن برای خروج از وضعیت موجود به پتانسیل بازار بستگی دارد. اما مطمئناً هیجانانگیز است و میتواند تأثیر واقعی بر همه دستگاههای ما داشته باشد.
